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SI3911DV-T1-E3 技術仕様

MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 830mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI3911DV-T1-E3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Base Part Number SI3911
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SI3911DV-T1-E3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI3911DV SI 特殊なホットIC 4045
SI3911DV-T1 VISHAY 特殊なホットIC 1289
SI3911DV-T1 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3275
SI3911DV-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 33221
SI3911DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI3911DV-T1-E3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 995
SI3911DV-T1-E3 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3352
SI3911DV-T1-G33 VISHAY 特殊なホットIC 3000
SI3911DV-T1-G33 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3443
SI3911DV-T1-GE3 V 特殊なホットIC 3360

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SI3911DV-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI3911DV-T1-E3 参考価格. SI3911DV-T1-E3 パラメーター, SI3911DV-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI3911DV-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI3911DV-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI3911DV-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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