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SI4090DY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 19.7A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SI4090DY-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19.7A (Tc)
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SI4090DY-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
Si4090DY Vishay 特殊なホットIC 5889
SI4090DY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2641
SI4090DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10239

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SI4090DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4090DY-T1-GE3 参考価格. SI4090DY-T1-GE3 パラメーター, SI4090DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4090DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4090DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4090DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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