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SI4116DY-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 25V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4116DY-T1-E3-ND SI4116DY-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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SI4116DY-T1-E3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4110DY-T1-E3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 10496
SI4110DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 126560
SI4110DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 126560
SI4110DY-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 580
SI4112-BM Energy Micro (Silicon Labs) クロック/タイミング - クロックジェネレータ、PLL、周波数シンセサイザ 1278
SI4112-BT Energy Micro (Silicon Labs) クロック/タイミング - クロックジェネレータ、PLL、周波数シンセサイザ 2667
SI4112-D-GM Energy Micro (Silicon Labs) クロック/タイミング - クロックジェネレータ、PLL、周波数シンセサイザ 2649
SI4112-D-GM Silicon Labs クロックジェネレーター
SI4112-D-GMR Energy Micro (Silicon Labs) クロック/タイミング - クロックジェネレータ、PLL、周波数シンセサイザ 2707
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SI4116DY-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4116DY-T1-E3 参考価格. SI4116DY-T1-E3 パラメーター, SI4116DY-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4116DY-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4116DY-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4116DY-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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