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SI4122DY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 6W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 27.2A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4122DY-T1-GE3TR SI4122DYT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27.2A (Tc)
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SI4122DY-T1-GE3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SI412"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4120 VISHAY 特殊なホットIC 706
SI4120-KT Silicon 特殊なホットIC 2609
SI4122-BT Energy Micro (Silicon Labs) クロック/タイミング - クロックジェネレータ、PLL、周波数シンセサイザ 2660
SI4122-BT Silicon Labs クロックジェネレーター
SI4122-BTR SI 特殊なホットIC 2697
SI4122-D-GM Energy Micro (Silicon Labs) クロック/タイミング - クロックジェネレータ、PLL、周波数シンセサイザ 2543
SI4122-D-GM Silicon Labs クロックジェネレーター
SI4122-D-GMR Energy Micro (Silicon Labs) クロック/タイミング - クロックジェネレータ、PLL、周波数シンセサイザ 13484
SI4122-D-GMR Silicon Labs クロックジェネレーター
SI4122-D-GMR IC Energy Micro (Silicon Labs) 特殊なホットIC 1084

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SI4122DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4122DY-T1-GE3 参考価格. SI4122DY-T1-GE3 パラメーター, SI4122DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4122DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4122DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4122DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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