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SI4214DY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.5 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4214DY-T1-GE3-ND SI4214DY-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
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SI4214DY-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4210 SI 特殊なホットIC 2636
SI4210-A-IF-EVB Energy Micro (Silicon Labs) RF 評価および開発キット、ボード 2657
SI4210-A-IF-EVB Silicon Labs RFボード
SI4210-B-GM SILICON 特殊なホットIC 2548
SI4210-B072-GMR VISHAY 特殊なホットIC 2632
SI4210-C-GMR SILCOM 特殊なホットIC 2824
SI4210-C-GMR IC Energy Micro (Silicon Labs) 特殊なホットIC 485
SI4210-D-GM Energy Micro (Silicon Labs) インターフェース - ドライバー、レシーバー、トランシーバー 2572
SI4210-D-GMR SILICON 特殊なホットIC 28393
SI4210-E-KT-EVB Energy Micro (Silicon Labs) RF 評価および開発キット、ボード 2793

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SI4214DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4214DY-T1-GE3 参考価格. SI4214DY-T1-GE3 パラメーター, SI4214DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4214DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4214DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4214DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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