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SI4354DY-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Ta)
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SI4354DY-T1-E3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI435 SI 特殊なホットIC 2705
SI435 MCU SI 特殊なホットIC 458
SI4354DY-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1217
SI4354DY-T1-E3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 19345
SI4354DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2658
SI4354DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2799
SI4355-B1A-FM Energy Micro (Silicon Labs) RF受信機 8422
SI4355-B1A-FM Silicon Labs RF受信機
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SI4354DY-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4354DY-T1-E3 参考価格. SI4354DY-T1-E3 パラメーター, SI4354DY-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4354DY-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4354DY-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4354DY-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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