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SI4464DY-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 2.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4464DY-T1-E3TR SI4464DYT1E3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 200V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4460-B0A-FM SILICON 特殊なホットIC 2694
SI4460-B0B-FM Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2625
SI4460-B0B-FM Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI4460-B1B-FM Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2671
SI4460-B1B-FM Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI4460-B1B-FMR Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 5411
SI4460-B1B-FMR Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI4460-B1B-FMR IC SILICON 特殊なホットIC 739
SI4460-C2A-GM Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2502
SI4460-C2A-GM Silicon Labs RFトランシーバーIC

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SI4464DY-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4464DY-T1-E3 参考価格. SI4464DY-T1-E3 パラメーター, SI4464DY-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4464DY-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4464DY-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4464DY-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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