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SI4483ADY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 19.2A (Tc) 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI4483ADY-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19.2A (Tc)
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SI4483ADY-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4480-TI VISHAY 特殊なホットIC 2656
SI4480DY SILICON 特殊なホットIC 355
SI4480DY-T1 VISHAY 特殊なホットIC 1594
SI4480DY-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 20329
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SI4483ADY-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4483ADY-T1-GE3 参考価格. SI4483ADY-T1-GE3 パラメーター, SI4483ADY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4483ADY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4483ADY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4483ADY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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