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SI4800BDY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4800BDY-T1-GE3TR SI4800BDYT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
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SI4800BDY-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4800 PHILIPS 特殊なホットIC 118926
SI4800 IC PHILIPS 特殊なホットIC 2858
SI4800,118 PHILIPS 特殊なホットIC 15
SI4800,518 NXP Semiconductors / Freescale トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2611
SI4800. PHILIPS 特殊なホットIC 52135
SI4800B VISHAY 特殊なホットIC 3170
SI4800B/DY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 81000
SI4800BCY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2784
SI4800BDY VISHAY 特殊なホットIC 2461
SI4800BDY-T1 VISHAY 特殊なホットIC 17939

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SI4800BDY-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4800BDY-T1-GE3 参考価格. SI4800BDY-T1-GE3 パラメーター, SI4800BDY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4800BDY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4800BDY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4800BDY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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