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SI4916DY-T1-E3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series LITTLE FOOT®
Power - Max 3.3W, 3.5W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A, 10.5A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SI4916DY-T1-E3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4916
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SI4916DY-T1-E3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4910DY VIS 特殊なホットIC 773
SI4910DY-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 5337
SI4910DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 36591
SI4910DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI4910DY-T1-E3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 18900
SI4910DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2776
SI4910DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2627
SI4910DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI4910DY-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 637
SI4911DY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2495

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SI4916DY-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI4916DY-T1-E3 参考価格. SI4916DY-T1-E3 パラメーター, SI4916DY-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4916DY-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4916DY-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4916DY-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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