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SI5406DC-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 1.2mA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 12V 6.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Ta)
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SI5402DC-T1 SILICON 特殊なホットIC 137932

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SI5406DC-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI5406DC-T1-GE3 参考価格. SI5406DC-T1-GE3 パラメーター, SI5406DC-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI5406DC-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI5406DC-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI5406DC-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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