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SI5504DC-T1-GE3
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SI5504DC-T1-GE3 技術仕様
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.1W |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Detailed Description | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Base Part Number | SI5504 |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 2.9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N and P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A, 2.1A |
SI5504DC-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI5504DC-T1-GE3
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データシート
SI5504DC-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI550" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI550'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI550 | SILICON | 特殊なホットIC | 2709 |
SI5504 | VISHAY | 特殊なホットIC | 2781 |
SI5504BDC | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 1371 |
SI5504BDC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2612 |
SI5504BDC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2648 |
SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SI5504BDC-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2572 |
SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2619 |
SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SI5504DC | VISHAY | 特殊なホットIC | 117952 |
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