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SI5935CDC-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI5935CDC-T1-GE3TR SI5935CDCT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Base Part Number SI5935
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SI5935CDC-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI5933CDC-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 9023
SI5933CDC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 18290
SI5933CDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI5933CDC-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3432
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 12632
SI5933CDC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 3140
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI5933DC Vishay 特殊なホットIC 3137
SI5933DC-T1 VISHAY 特殊なホットIC 66116
SI5933DC-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 238807

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SI5935CDC-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI5935CDC-T1-GE3 参考価格. SI5935CDC-T1-GE3 パラメーター, SI5935CDC-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI5935CDC-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI5935CDC-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI5935CDC-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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