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SI5999EDU-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 10.4W
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 496pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI5999EDU-T1-GE3TR SI5999EDUT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Base Part Number SI5999
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SI5997DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2900
SI5997DU-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2564
SI5997DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI5999EDU-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2780
SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ

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SI5999EDU-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI5999EDU-T1-GE3 参考価格. SI5999EDU-T1-GE3 パラメーター, SI5999EDU-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI5999EDU-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI5999EDU-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI5999EDU-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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