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SI7114DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 11.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 18.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7114DN-T1-GE3TR SI7114DNT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 46 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.7A (Ta)
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SI7114DN-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7110DN VISHAY 特殊なホットIC 2691
SI7110DN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 118691
SI7110DN-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 13625
SI7110DN-T1-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI7110DN-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1064
SI7110DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 81491
SI7110DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 54633
SI7110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI7110DN-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 2814
SI7110DN-T1-GE3 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 6491

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SI7114DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7114DN-T1-GE3 参考価格. SI7114DN-T1-GE3 パラメーター, SI7114DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7114DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7114DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7114DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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