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SI7156DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 50A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7153DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 12857
SI7153DN-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 104915
SI7153DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI7154DP-T1-GE3 VB 特殊なホットIC 1000
SI7155DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2676
SI7156DP-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3000
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SI7157DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5232
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SI7156DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7156DP-T1-GE3 参考価格. SI7156DP-T1-GE3 パラメーター, SI7156DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7156DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7156DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7156DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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