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SI7409ADN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 30V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 11A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
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SI7409ADN-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7401DN SI 特殊なホットIC 36
SI7401DN-T1 VISHAY 特殊なホットIC 3000
SI7401DN-T1-E3 VIS 特殊なホットIC 2544
SI7401DN-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 633
SI7402DN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2508
SI7402DN-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8700
SI7402DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3137
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SI7403BDN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 20899

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SI7409ADN-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7409ADN-T1-GE3 参考価格. SI7409ADN-T1-GE3 パラメーター, SI7409ADN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7409ADN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7409ADN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7409ADN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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