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SI7454DDP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 21A (Tc) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SI7454DDP-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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SI7454DDP-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7450 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 70
SI7450DP SI 特殊なホットIC 10858
SI7450DP MOS VBSEMI 特殊なホットIC 1358
SI7450DP-T1 VISHAY 特殊なホットIC 6687
SI7450DP-T1-(G)E3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5390
SI7450DP-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5443
SI7450DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 19914
SI7450DP-T1-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI7450DP-T1-E3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 397
SI7450DP-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5165

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SI7454DDP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7454DDP-T1-GE3 参考価格. SI7454DDP-T1-GE3 パラメーター, SI7454DDP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7454DDP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7454DDP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7454DDP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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