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SI7485DP-T1-E3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI7485DP-T1-E3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7483ADP SI 特殊なホットIC 5219
SI7483ADP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1438
SI7483ADP-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5472
SI7483ADP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 799673
SI7483ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 690
SI7483DP Vishay Precision Group 特殊なホットIC 16
SI7483DP-T1 VISHAY 特殊なホットIC 9483
SI7483DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 15489
SI7483DP-T1-GE3 VB 特殊なホットIC 1000
SI7485DDP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5776

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SI7485DP-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7485DP-T1-E3 参考価格. SI7485DP-T1-E3 パラメーター, SI7485DP-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7485DP-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7485DP-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7485DP-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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