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SI7703EDN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 800µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7703EDN-T1-GE3TR SI7703EDNT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7703DN VISHAY 特殊なホットIC 6533
SI7703EDN QFN-8 特殊なホットIC 7732
SI7703EDN-T1 VISHAY 特殊なホットIC 1058
SI7703EDN-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 9326
SI7703EDN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 55158
SI7703EDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 9408
SI7703EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI7703EDN-TI-E3 SILICONE 特殊なホットIC 1314
SI7705DN SILICONX 特殊なホットIC 2441
SI7705DN-T1 VISHAY 特殊なホットIC 8444

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SI7703EDN-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7703EDN-T1-GE3 参考価格. SI7703EDN-T1-GE3 パラメーター, SI7703EDN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7703EDN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7703EDN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7703EDN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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