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SI7792DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40.6A (Ta), 60A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4.735nF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 40.6A (Ta), 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SI7792DP-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
Si7790DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2662
SI7790DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 803752
SI7790DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 803752
SI7790DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5806
SI7792DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2590
SI7792DP-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 2734
SI7794DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2632
SI7794DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4185
SI7794DP-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 9628
SI7798DP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 2231

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SI7792DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7792DP-T1-GE3 参考価格. SI7792DP-T1-GE3 パラメーター, SI7792DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7792DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7792DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7792DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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