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SI7852DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7852DP-T1-GE3-ND SI7852DP-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 80V 7.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SI7852DP-T1-GE3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SI785"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7850ADP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6382
SI7850DP VISHAY 特殊なホットIC 14685
SI7850DP-T1 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 6494
SI7850DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 16786
SI7850DP-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5265
SI7850DP-T1-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI7850DP-T1-E3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3263
SI7850DP-T1-E3 MOS VISHAT 特殊なホットIC 3738
SI7850DP-T1-E3. VIS 特殊なホットIC 2682
SI7850DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5672

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SI7852DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7852DP-T1-GE3 参考価格. SI7852DP-T1-GE3 パラメーター, SI7852DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7852DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7852DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7852DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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