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SI7900AEDN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.5W
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Base Part Number SI7900
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7900AEDN-T1-GE3TR SI7900AEDNT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
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SI7900AEDN-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7900ADN SI 特殊なホットIC 561
SI7900AEDA-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2742
SI7900AEDN SI 特殊なホットIC 75248
SI7900AEDN-T1 VISHAY 特殊なホットIC 25309
SI7900AEDN-T1 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 856
SI7900AEDN-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 107182
SI7900AEDN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 107182
SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI7900AEDN-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3418
SI7900AEDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 29962

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SI7900AEDN-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7900AEDN-T1-GE3 参考価格. SI7900AEDN-T1-GE3 パラメーター, SI7900AEDN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7900AEDN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7900AEDN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7900AEDN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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