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SI7945DP-T1-GE3
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SI7945DP-T1-GE3 技術仕様
MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.4W |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10.9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI7945DP-T1-GE3TR SI7945DPT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Detailed Description | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
Base Part Number | SI7945 |
SI7945DP-T1-GE3 書類
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データシート
SI7945DP-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI794" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI794'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI7940DP | VISHAY | 特殊なホットIC | 1345 |
SI7940DP-T1-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2630 |
SI7940DP-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 1692 |
SI7940DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SI7940DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 5665 |
SI7940DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 3076 |
SI7940DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SI7941DP | VISHAY | 特殊なホットIC | 2531 |
SI7941DP-T1 | VISHAY | 特殊なホットIC | 3326 |
SI7941DP-T1-E3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 5300 |
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