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SI7958DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.4W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7958DP-T1-GE3TR SI7958DPT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Base Part Number SI7958
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SI7958DP-T1-GE3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SI795"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7956DP SI 特殊なホットIC 571
SI7956DP-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 665
SI7956DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 3256
SI7956DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI7956DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 801982
SI7956DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 6373
SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI7956DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5659
SI7958DP SI 特殊なホットIC 1173
SI7958DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 18720

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SI7958DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI7958DP-T1-GE3 参考価格. SI7958DP-T1-GE3 パラメーター, SI7958DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7958DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7958DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7958DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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