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SI7964DP-T1-E3
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SI7964DP-T1-E3 技術仕様
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.4W |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 9.6A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI7964DP-T1-E3TR SI7964DPT1E3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
Base Part Number | SI7964 |
SI7964DP-T1-E3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI7964DP-T1-E3
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データシート
SI7964DP-T1-E3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI796" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI796'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI7960 | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 427 |
SI7960DP | SI | 特殊なホットIC | 602 |
SI7960DP-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 917 |
SI7960DP-T1-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 1406 |
SI7960DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SI7960DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 798637 |
SI7960DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 9237 |
SI7960DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SI7962DP-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2794 |
SI7962DP-T1-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2611 |
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