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SI8810EDB-T2-E1 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case 4-XFBGA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 4-Microfoot
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI8810EDB-T2-E1TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 46 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 245pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI8810EDB-T2-E1 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2681
SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI8812DB-T2-E1 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 157765
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SI8810EDB-T2-E1 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI8810EDB-T2-E1 参考価格. SI8810EDB-T2-E1 パラメーター, SI8810EDB-T2-E1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI8810EDB-T2-E1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI8810EDB-T2-E1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI8810EDB-T2-E1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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