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SI8902AEDB-T2-E1 技術仕様

N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 5.7W
Package / Case 6-UFBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 24V 11A 5.7W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI8900B-A01-GS Energy Micro (Silicon Labs) データ取得 - アナログからデジタルコンバータ (ADC) 2556
SI8900B-A01-GS Silicon Labs ADC
SI8900B-A01-GSR Energy Micro (Silicon Labs) データ取得 - アナログからデジタルコンバータ (ADC) 1552
SI8900B-A01-GSR Silicon Labs ADC
SI8900D-A01-GS Energy Micro (Silicon Labs) データ取得 - アナログからデジタルコンバータ (ADC) 2647
SI8900D-A01-GS Silicon Labs ADC
SI8900D-A01-GSR Energy Micro (Silicon Labs) データ取得 - アナログからデジタルコンバータ (ADC) 2685
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SI8902AEDB-T2-E1 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SI8902AEDB-T2-E1 参考価格. SI8902AEDB-T2-E1 パラメーター, SI8902AEDB-T2-E1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI8902AEDB-T2-E1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI8902AEDB-T2-E1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI8902AEDB-T2-E1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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