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SIA920DJ-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 7.8W
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 4V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
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SIA920DJ-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIA920DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 30368
SIA920DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIA921EDJ Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5367
SIA921EDJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 252599
SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 40325
SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIA921EDJ-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 78450
SIA921EDJ-T1/GE3 VISHAY 特殊なホットIC 30477
SIA921EDJ-T4-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2572
SIA921EDJ-T4-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2602

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SIA920DJ-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIA920DJ-T1-GE3 参考価格. SIA920DJ-T1-GE3 パラメーター, SIA920DJ-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIA920DJ-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIA920DJ-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIA920DJ-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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