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SIA950DJ-T1-GE3
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SIA950DJ-T1-GE3 技術仕様
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Series | LITTLE FOOT® |
Power - Max | 7W |
Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 100V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 190V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 950mA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | SIA950DJ-T1-GE3CT |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 190V 950mA 7W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Base Part Number | SIA950 |
SIA950DJ-T1-GE3 書類
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データシート
SIA950DJ-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SIA95" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIA95'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIA950DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 5326 |
SIA950DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ |
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SIA950DJ-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIA950DJ-T1-GE3 参考価格. SIA950DJ-T1-GE3 パラメーター, SIA950DJ-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIA950DJ-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIA950DJ-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIA950DJ-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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