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SIA975DJ-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 7.8W
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 6V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIA975DJ-T1-GE3TR SIA975DJT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 8V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base Part Number SIA975
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SIA975DJ-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIA972DH-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 3500
SIA975DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 3735
SIA975DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIA975DJ-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 524
SIA975DJ-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 6301

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SIA975DJ-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIA975DJ-T1-GE3 参考価格. SIA975DJ-T1-GE3 パラメーター, SIA975DJ-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIA975DJ-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIA975DJ-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIA975DJ-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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