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SIDR680DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 80V

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32.8A (Ta), 100A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8DC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIDR680DP-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5150pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 80V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
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SIDR638DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2676
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SIDR680DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIDR680DP-T1-GE3 参考価格. SIDR680DP-T1-GE3 パラメーター, SIDR680DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIDR680DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIDR680DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIDR680DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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