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SIE822DF-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case 10-PolarPAK® (S)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 10-PolarPAK® (S)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIE822DF-T1-GE3TR SIE822DFT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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SIE820DF-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2555
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SIE822DF-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIE822DF-T1-GE3 参考価格. SIE822DF-T1-GE3 パラメーター, SIE822DF-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIE822DF-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIE822DF-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIE822DF-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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