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SIE830DF-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series WFET®
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case 10-PolarPAK® (S)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 10-PolarPAK® (S)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIE830DF-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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SIE830DF-T1-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIE830DF-T1-E3 参考価格. SIE830DF-T1-E3 パラメーター, SIE830DF-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIE830DF-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIE830DF-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIE830DF-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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