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SIE874DF-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case 10-PolarPAK® (L)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 10-PolarPAK® (L)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SIE874DF-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIE874DF-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 352
SIE876DF-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2530
SIE876DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2748
SIE878DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2641
SIE878DF-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2526

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SIE874DF-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIE874DF-T1-GE3 参考価格. SIE874DF-T1-GE3 パラメーター, SIE874DF-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIE874DF-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIE874DF-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIE874DF-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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