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SIHB22N60ET5-GE3
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SIHB22N60ET5-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | E |
Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
SIHB22N60ET5-GE3 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "SIHB2" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIHB2'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIHB20N50E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2728 |
SIHB20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2663 |
SIHB20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIHB21N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2683 |
SIHB21N60EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 0 |
SIHB21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SIHB21N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2576 |
SIHB21N65EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2573 |
SIHB22N60AE-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2574 |
SIHB22N60AE-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2632 |
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