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SIHFB11N50A-E3
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SIHFB11N50A-E3 技術仕様
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 6.6A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 500V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
SIHFB11N50A-E3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SIHFB11N50A-E3
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データシート
SIHFB11N50A-E3.pdf
その他には以下が含まれます: "SIHFB" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIHFB'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SiHFB11N50A | VB | 特殊なホットIC | 5000 |
SiHFB13N50A | Vishay | 特殊なホットIC | 29063 |
SiHFB17N50L | Vishay | 特殊なホットIC | 22879 |
SIHFB18N50K | V | 特殊なホットIC | 32363 |
SIHFB20N50K-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1306 |
SiHFB9N60A | Vishay | 特殊なホットIC | 32992 |
SIHFB9N60A-E3 | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 1493 |
SiHFB9N65A | Vishay | 特殊なホットIC | 28764 |
SiHFBC20 | VB | 特殊なホットIC | 37365 |
SiHFBC20S | VB | 特殊なホットIC | 37365 |
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