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SIHG11N80E-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series E
Power Dissipation (Max) 179W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247AC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG11N80E-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIHG100N60E-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1861
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SIHG11N80E-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIHG11N80E-GE3 参考価格. SIHG11N80E-GE3 パラメーター, SIHG11N80E-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHG11N80E-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHG11N80E-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHG11N80E-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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