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SIHG22N65E-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2415pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247AC
Power Dissipation (Max) 227W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
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SIHG22N65E-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIHG20N50C VISHYA 特殊なホットIC 3285
SIHG20N50C-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3036
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SIHG20N50C-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 4403
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SIHG22N65E-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIHG22N65E-GE3 参考価格. SIHG22N65E-GE3 パラメーター, SIHG22N65E-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHG22N65E-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHG22N65E-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHG22N65E-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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