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SIHG33N65EF-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 109 mOhm @ 16.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 171nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31.6A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247AC
Power Dissipation (Max) 313W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 20 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4026pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 31.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SiHG30N60AEL MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 151377
SIHG30N60AEL-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2681
SIHG30N60E VISHAY 特殊なホットIC 2931
SIHG30N60E-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2535
SIHG30N60E-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
SIHG30N60E-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIHG30N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 963
SIHG30N60E-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5394
SIHG30N60E-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIHG30N60E-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 512

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SIHG33N65EF-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIHG33N65EF-GE3 参考価格. SIHG33N65EF-GE3 パラメーター, SIHG33N65EF-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHG33N65EF-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHG33N65EF-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHG33N65EF-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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