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SIHH21N65E-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIHH21N65E-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 20 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2404pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 20.3A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 99nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.3A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
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SIHH21N65E-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIHH21N65E-T1-GE3 参考価格. SIHH21N65E-T1-GE3 パラメーター, SIHH21N65E-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHH21N65E-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHH21N65E-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHH21N65E-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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