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SIHP33N60E-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 16.5A, 10V
Packaging Bulk
Other Names SIHP33N60EGE3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3508pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP30N60AEL-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2598
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SIHP30N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 7169
SIHP30N60E-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 7169
SIHP33N60E VISYA 特殊なホットIC 13430
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SIHP33N60E-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIHP33N60E-GE3 参考価格. SIHP33N60E-GE3 パラメーター, SIHP33N60E-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHP33N60E-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHP33N60E-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHP33N60E-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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