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SIHU3N50D-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names SIHU3N50D-E3CT SIHU3N50D-E3CT-ND
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 13 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-251AA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-251AA
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
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SIHU3N50D-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5000
SIHU3N50D-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIHU3N50D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2717
SIHU3N50D-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2687
SIHU3N50D-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIHU3N50DA-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0

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SIHU3N50D-E3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIHU3N50D-E3 参考価格. SIHU3N50D-E3 パラメーター, SIHU3N50D-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHU3N50D-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHU3N50D-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHU3N50D-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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