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SIR460DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 48W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIR460DP-T1-GE3-ND SIR460DP-T1-GE3TR SIR460DPT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 27 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2071pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIR460DP VISHAY 特殊なホットIC 14634
SIR460DP-T1 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 86
SIR460DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 5262
SIR460DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 100722
SIR460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIR460DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1493
SIR462DP VISHAY 特殊なホットIC 2909
SIR462DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 24427
SIR462DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 182008
SIR462DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2525

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SIR460DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIR460DP-T1-GE3 参考価格. SIR460DP-T1-GE3 パラメーター, SIR460DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIR460DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIR460DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIR460DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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