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SIR606BDP-T1-RE3
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SIR606BDP-T1-RE3 技術仕様
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® Gen IV |
Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.4 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIR606BDP-T1-RE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 32 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1470pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 100V 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
SIR606BDP-T1-RE3 書類
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データシート
SIR606BDP-T1-RE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SIR60" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIR60'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIR606DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2687 |
SIR606DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2657 |
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SIR606BDP-T1-RE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIR606BDP-T1-RE3 参考価格. SIR606BDP-T1-RE3 パラメーター, SIR606BDP-T1-RE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIR606BDP-T1-RE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIR606BDP-T1-RE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIR606BDP-T1-RE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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