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SIR814DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR814DP-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIR812DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4890
SIR812DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5911
SIR812DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIR812DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5743
SIR814DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3347
SIR818DP VISHAY 特殊なホットIC 10230
SIR818DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 35646
SIR818DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 27330
SIR818DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIR818DP-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 702

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SIR814DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIR814DP-T1-GE3 参考価格. SIR814DP-T1-GE3 パラメーター, SIR814DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIR814DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIR814DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIR814DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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