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SIR844DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIR844DP-T1-GE3TR SIR844DPT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 21 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3215pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 25V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR844DP-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIR840 VISHAY 特殊なホットIC 2525
SIR840DP SI 特殊なホットIC 30317
SIR840DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 5268
SIR840DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1488
SIR840DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 173707
SIR840DP-T1-GE3 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 6419
SIR844DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10016
SIR846ADP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2575
SIR846ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 7410
SIR846ADP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 28790

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SIR844DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIR844DP-T1-GE3 参考価格. SIR844DP-T1-GE3 パラメーター, SIR844DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIR844DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIR844DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIR844DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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