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SIRA00DP-T1-RE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11700pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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SIRA00DP-T1-RE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIRA00DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2389
SIRA00DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 39265
SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIRA00DP-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 854
SIRA00DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 6319
SIRA01DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2515
SiRA02DP Vishay Precision Group 特殊なホットIC 24836
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 17613
SIRA02DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 17613
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SIRA00DP-T1-RE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIRA00DP-T1-RE3 参考価格. SIRA00DP-T1-RE3 パラメーター, SIRA00DP-T1-RE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIRA00DP-T1-RE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIRA00DP-T1-RE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIRA00DP-T1-RE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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