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SIRA66DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 50A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIRA64DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
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SIRA66DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIRA66DP-T1-GE3 参考価格. SIRA66DP-T1-GE3 パラメーター, SIRA66DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIRA66DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIRA66DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIRA66DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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