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SIRC06DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta), 60A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIRC06DP-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2455pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 32A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIRC06DP-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIRC04DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2702
SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SIRC06DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIRC06DP-T1-GE3 参考価格. SIRC06DP-T1-GE3 パラメーター, SIRC06DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIRC06DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIRC06DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIRC06DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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